您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 LMN400E01-7 vs UMX1NTN

LMN400E01-7备选型号: UMX1NTN

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 类型
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    LMN400E01-7
    Diodes Incorporated
    PNP Transistor and ESD Protected N-Mosfet 6-Pin SOT-363 T/R
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    负载开关
    -50V
    400mA PNP 115mA
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    LMN400
    6
    不合格
    PNP
    SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    PNP Pre-Biased, N-Channel Pre-Biased
    0.3A
    1.125Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.2W
    0.4A
    70
    5 pF
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    UMX1NTN
    ROHM Semiconductor
    TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    -
    -
    -
    50V
    150mA
    -
    鸥翼
    260
    10
    *MX1
    6
    -
    NPN
    -
    -
    AMPLIFIER
    2 NPN (Dual)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    400mV
    150°C TJ
    通用型
    8541.21.00.75
    150mW
    Dual
    150mW
    180MHz
    50V
    150mA
    120 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    400mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    180MHz
    50V
    60V
    7V
    150mA
    0.4 V
    900μm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSS138DW-7-F BSS138DW-7-F Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount 对比
UMD2NTR UMD2NTR ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 对比
UMZ1NTR UMZ1NTR ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT 对比