Diodes Incorporated BSS138DW-7-F
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BSS138DW-7-F
671-BSS138DW-7-F
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount
--最小包装量--
BSS138DW-7-F详情
Diodes Incorporated BSS138DW-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SOT-363
质量
6.010099mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
电阻
3.5Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
200mW
额定电流
200mA
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
接通延迟时间
20 ns
功率 - 最大
200mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5Ohm @ 220mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
连续放电电流(ID)
200mA
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
输入电容
50pF
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
3.5Ohm
最大rds
3.5 Ω
栅源电压
1.2 V
最小击穿电压
50V
高度
1.1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS138DW-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
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