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首页 全部分类 LMR358F-GE2 vs LF353D

LMR358F-GE2备选型号: LF353D

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  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 电压
  • 电源电流
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  • 建筑学
  • 共模拒绝率
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  • 电压增益
  • 低偏移
  • 频率补偿
  • 低偏压
  • 微功率
  • 可编程电源
  • 双电源电压
  • 输入失调电流-最大值(IIO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    LMR358F-GE2
    ROHM Semiconductor
    IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    210μA
    1V/μs
    通用型
    15nA
    2.7V~5.5V
    60mA
    100μV
    100μV
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    LF353D
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS LF353D Operational Amplifier, Dual, 3 MHz, 2 Amplifier, 13 V/s,3.5V to18V, SOIC, 8 Pins
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    0°C~70°C
    Tube
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    3.6mA
    13V/μs
    J-FET
    50pA
    ±3.5V~18V
    -
    10mV
    5mV
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Gold
    e4
    8
    EAR99
    500mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    15V
    LF353
    8
    2
    15V
    6.5mA
    500mW
    VOLTAGE-FEEDBACK
    70 dB
    -15V
    3000 kHz
    100dB
    NO
    YES
    YES
    NO
    NO
    9V
    0.004μA
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    无
    无铅
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