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首页 全部分类 LMR358FJ-GE2 vs LMV358DR2G

LMR358FJ-GE2备选型号: LMV358DR2G

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  • 电压增益
  • 电源抑制比
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  • 频率补偿
  • 电源电压限制-最大值
  • 低偏压
  • 微功率
  • 最高频率
  • 可编程电源
  • 标称增益带宽积
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    LMR358FJ-GE2
    ROHM Semiconductor
    IC OPAMP GP 2 CIRCUIT SOP8J
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    210μA
    1V/μs
    通用型
    15nA
    2.7V~5.5V
    60mA
    100μV
    100μV
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    LMV358DR2G
    ON Semiconductor
    Operational Amplifier, Low Power, Rail to Rail Output, CMOS Op-Amp
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    210μA
    1V/μs
    通用型
    1nA
    2.7V~5.5V
    160mA
    9mV
    1.7mV
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
    Tin
    YES
    Industrial grade
    e3
    8
    EAR99
    TAPE AND REEL
    DUAL
    鸥翼
    2
    2.7V
    LMV358
    8
    Rail-to-Rail
    3V
    2
    440μA
    160mA
    VOLTAGE-FEEDBACK
    50 dB
    无卤素
    1000 kHz
    100dB
    50dB
    NO
    YES
    5.5V
    NO
    YES
    50kHz
    NO
    1MHz
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
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