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首页 全部分类 LP0701N3-G vs FQNL2N50BTA

LP0701N3-G备选型号: FQNL2N50BTA

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 无铅
  • Microchip Technology
    LP0701N3-G
    Microchip Technology
    Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; 1W; TO92; -1.25A
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    500mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    BOTTOM
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 300mA, 5V
    1V @ 1mA
    250pF @ 15V
    20ns
    16.5V
    ±10V
    30 ns
    500mA
    10V
    0.5A
    -16.5V
    60 pF
    5.33mm
    5.21mm
    4.19mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQNL2N50BTA
    ON Semiconductor
    MOSFET 500V N-Channel QFET
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    3
    371.1027mg
    SILICON
    350mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    BOTTOM
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.3 Ω @ 175mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    230pF @ 25V
    25ns
    -
    ±30V
    25 ns
    350mA
    30V
    -
    500V
    -
    8mm
    4.9mm
    3.9mm
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    QFET®
    yes
    500V
    未说明
    350mA
    未说明
    不合格
    8nC @ 10V
    无铅
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