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首页 全部分类 LXA04T600 vs MUR550PF

LXA04T600备选型号: MUR550PF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • HTS代码
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  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 功率耗散
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
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  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 输出电流
  • JEDEC-95代码
  • 无铅
  • Power Integrations
    LXA04T600
    Power Integrations
    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    Qspeed™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    250μA @ 600V
    52W
    2.96V @ 4A
    4A
    150°C Max
    30A
    4A
    600V
    4A
    1
    18.5 ns
    250μA
    600V
    350A
    600V
    18.5 ns
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUR550PF
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 520V 5A TO220AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    -
    SILICON
    1
    Tube
    SWITCHMODE™
    2009
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    175°C
    -65°C
    超快恢复能力
    8541.10.00.80
    3
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 520V
    -
    1.15V @ 5A
    -
    -65°C~175°C
    100A
    -
    520V
    5A
    1
    95 ns
    5μA
    -
    -
    520V
    95 ns
    -
    Non-RoHS Compliant
    低漏电流
    500V
    SINGLE
    240
    not_compliant
    5A
    30
    MUR550
    R-PSFM-T2
    不合格
    5A
    TO-220AC
    含铅
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