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首页 全部分类 LXA10FP600 vs DSR8V600

LXA10FP600备选型号: DSR8V600

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  • 反向恢复时间
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  • 恢复时间
  • 辐射硬化
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  • 质量
  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 达到SVHC
  • Power Integrations
    LXA10FP600
    Power Integrations
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2 Full Pack
    2
    SILICON
    1
    Tube
    Qspeed™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    250μA @ 600V
    35W
    3V @ 10A
    ISOLATED
    10A
    150°C Max
    350A
    600V
    10A
    1
    23 ns
    250μA
    600V
    350A
    600V
    23 ns
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DSR8V600
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    DIODESTAR™
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    175°C
    -65°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    3
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    20μA @ 600V
    -
    3.2V @ 8A
    -
    8A
    -65°C~175°C
    65A
    600V
    8A
    1
    23 ns
    20μA
    600V
    65A
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    6.000006g
    e3
    no
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    260
    40
    8A
    3.2V
    65A
    600V
    无SVHC
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