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首页 全部分类 LXA15T600 vs FES16JT

LXA15T600备选型号: FES16JT

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  • 型号:
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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 功率耗散
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 附加功能
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 正向电压
  • 电容@Vr, F
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Power Integrations
    LXA15T600
    Power Integrations
    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    Qspeed™
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    250μA @ 600V
    96W
    3.1V @ 15A
    CATHODE
    15A
    150°C Max
    95A
    600V
    15A
    1
    25 ns
    250μA
    600V
    350A
    600V
    25 ns
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FES16JT
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Tube
    -
    2001
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    150°C
    -65°C
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 600V
    7.81W
    1.5V @ 8A
    CATHODE
    16A
    -65°C~150°C
    250A
    600V
    16A
    1
    50 ns
    10μA
    600V
    250A
    600V
    50 ns
    无
    符合RoHS标准
    2.16g
    HIGH RELIABILITY
    16A
    FES16J
    1.5V
    145pF @ 4V 1MHz
    250A
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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