ON Semiconductor FES16JT
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FES16JT
1807-FES16JT
二极管 - 整流器 - 单
TO-220-2
大陆
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DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
--最小包装量--
FES16JT详情
ON Semiconductor FES16JT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
引脚数
2
质量
2.16g
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tube
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
额定电流
16A
基本部件号
FES16J
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 600V
功率耗散
7.81W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5V @ 8A
箱体转运
CATHODE
正向电流
16A
工作温度 - 结点
-65°C~150°C
最大浪涌电流
250A
正向电压
1.5V
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
16A
相位的数量
1
反向恢复时间
50 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
电容@Vr, F
145pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
250A
反向电压
600V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
250A
恢复时间
50 ns
高度
9.65mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
FES16JT拓展信息
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