M24256-DFDW6TP备选型号: BR24G64FVT-3AGE2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- I2C控制字节
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- 已出版
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 写入周期时间 - 最大值
- EEPROM Serial-I2C 256K-bit 32K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)e4活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.7V~5.5VDUAL11.8V0.65mmM24256不合格5.5V1.7V2-Wire, I2C, Serial256Kb 32K x 82.5mASYNCHRONOUS400kHz450nsEEPROMI2C85ms256 kb0.000001AI2C4000000 Write/Erase Cycles200HARDWARE1010DDDR4.4mm1.2mm3mmROHS3 Compliant-----
- IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8TSSOP-10 Weeks表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)8--1.7V~5.5VDUAL1-0.65mmBR24G64-5.5V1.7V2-Wire, I2C, Serial64Kb 8K x 8-SYNCHRONOUS1MHz450 nsEEPROMI2C85ms64 kb-I2C----4.4mm1.2mm3mmROHS3 CompliantTin2014未说明未说明5ms
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BR24G64FVT-3AGE2 | ROHM Semiconductor | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8TSSOP | 对比 | |
![]() | AT24C02C-XHM-B | Microchip Technology | 存储器 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8TSSOP | 对比 |
| BR24G32FVJ-3AGTE2 | ROHM Semiconductor | 存储器 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | IC EEPROM 32K I2C 1MHZ 8TSSOP | 对比 |



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