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首页 全部分类 M28W640HCB70ZB6E vs M29W640GH70ZA6E

M28W640HCB70ZB6E备选型号: M29W640GH70ZA6E

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 电源
  • 电压
  • 内存大小
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • 同步/异步
  • 字长
  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 页面尺寸
  • 引导模块
  • 通用闪存接口
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 备用内存宽度
  • 准备就绪/忙碌
  • 宽度
  • Micron Technology Inc.
    M28W640HCB70ZB6E
    Micron Technology Inc.
    NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Non-Volatile
    18mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    e1
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.1.A
    锡银铜
    底部启动区块
    8542.32.00.51
    3V
    BOTTOM
    260
    1
    0.75mm
    30
    M28W640
    3/3.3V
    2.7V
    64Mb 4M x 16
    FLASH
    Parallel
    4MX16
    16
    70ns
    22b
    64 Mb
    0.000005A
    70 ns
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    8127
    4K32K
    4words
    BOTTOM
    YES
    10.5mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    M29W640GH70ZA6E
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Non-Volatile
    10mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2015
    e1
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.1.A
    锡银铜
    底部启动区块
    8542.32.00.51
    3V
    BOTTOM
    260
    1
    0.8mm
    30
    M29W640
    3/3.3V
    2.7V
    64Mb 8M x 8 4M x 16
    FLASH
    Parallel
    4MX16
    16
    70ns
    -
    64 Mb
    0.0001A
    70 ns
    Asynchronous
    -
    YES
    YES
    YES
    128
    64K
    4/8words
    -
    YES
    8mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    8
    YES
    6mm
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