M29W160EB70ZA6E备选型号: M28W160ECB70ZB6E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电源
- 电压
- 内存大小
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 地址总线宽度
- 字长
- MEMORY, FLASH, NOR, 16MB, B/B, 48TFBGA表面贴装48-TFBGAYES48Non-Volatile-40°C~85°C TATray1998e1yesObsolete3 (168 Hours)48SMD/SMTEAR99Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM26013V0.8mm30M29W160483/3.3V2.7V16Mb 2M x 8 1M x 1610mAFLASHParallel1MX161670ns16 Mb0.0001A70 nsAsynchronous8YESYESYES1213116K8K32K64KYESBOTTOMYES8mm1.2mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant--
- IC FLASH 16M PARALLEL 46TFBGA表面贴装46-TFBGAYES46Non-Volatile-40°C~85°C TATray-e1yesObsolete3 (168 Hours)46-EAR99锡银铜底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM26013V0.75mm30M28W160463/3.3V2.7V16Mb 1M x 1618mAFLASHParallel1MX161670ns16 Mb0.000005A70 nsAsynchronous-NONOYES8314K32K-BOTTOMYES6.39mm1.2mm--无ROHS3 Compliant20b16b
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29W160ET70ZA6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | MICRON M29W160ET70ZA6E MEMORY, FLASH, NOR, 16MB, T/B, 48TFBGA | 对比 |
![]() | M28W160ECB70ZB6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 46-TFBGA | IC FLASH 16M PARALLEL 46TFBGA | 对比 |
![]() | SST39VF800A-70-4C-B3KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | MICROCHIP SST39VF800A-70-4C-B3KE MEMORY, FLASH, 8M, MPF, 48TFBGA | 对比 |





哦! 它是空的。