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首页 全部分类 M95256-DRMN8TP/K vs 93LC46B-I/SN

M95256-DRMN8TP/K备选型号: 93LC46B-I/SN

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 界面
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 写入周期时间 - 最大值
  • 数据保持时间
  • 写入保护
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电压
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 密度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    M95256-DRMN8TP/K
    STMicroelectronics
    IC EEPROM 256KBIT 2MHZ 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    Non-Volatile
    -40°C~105°C TA
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1.8V~5.5V
    DUAL
    未说明
    1
    2.5V
    1.27mm
    未说明
    M95256
    不合格
    5.5V
    2/5V
    SPI, Serial
    256Kb 32K x 8
    SYNCHRONOUS
    20MHz
    EEPROM
    SPI
    8
    4ms
    0.000001A
    262144 bit
    SPI
    900000 Write/Erase Cycles
    4ms
    50
    HARDWARE/SOFTWARE
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    93LC46B-I/SN
    Microchip Technology
    IC, EEPROM SERIAL 1K, 93LC46, SOIC8
    -
    6 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2.5V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    1.27mm
    40
    93LC46B
    -
    -
    -
    Serial
    1Kb 64 x 16
    -
    2MHz
    EEPROM
    SPI
    -
    6ms
    0.000001A
    -
    MICROWIRE
    1000000 Write/Erase Cycles
    6ms
    200
    SOFTWARE
    4.9mm
    -
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    1000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARS
    8
    2.5V
    5V
    2mA
    250 ns
    64X16
    3-STATE
    1 kb
    1.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
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