MA4FCP200备选型号: BAS116-7-F
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 二极管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 类型
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 最大额定电流
- 元素配置
- 二极管类型
- 正向电流
- 正向电压
- 峰值反向电流
- 电容@Vr, F
- 反向电压(直流电)
- 反向测试电压
- 频带
- 二极管电容-标称
- 电阻@If,F
- 二极管电容-最大值
- 少数载流子寿命
- 二极管正向电阻-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电容量
- 额定功率
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 速度
- 反向泄漏电流@ Vr
- 功率耗散
- 输出电流
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 平均整流电流(Io)
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RF DIODE PIN 100MW DIE6 WeeksDieYESSILICON1-55°C~125°C TJTray2000yes活跃1 (Unlimited)1EAR99Switch8541.10.00.40UPPER无铅未说明未说明2R-XUUC-N1不合格100mASinglePIN - Single100mA1.25V10μA0.03pF @ 40V 1MHz70V10VK B0.015pF3Ohm @ 50mA 100MHz0.03pF0.1 µs3OhmROHS3 Compliant无铅-----------------------------------
- DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-319 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON1-Tape & Reel (TR)2003yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-8541.10.00.70DUAL鸥翼260403---SingleStandard150mA1.25V5nA2pF @ 0V 1MHz85V-------ROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装表面贴装37.994566mge3150°C-65°C低漏电流2pF250mW85V150mW215mABAS116Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)5nA @ 75V250mW250mA1.25V @ 150mA-65°C~150°C4A215mA DC85V215mA3 μs85V4A4A3 μs1mm3.05mm1.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV199W-7 | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 阵列 | SC-70, SOT-323 | DIODE ARRAY GP 85V 140MA SOT323 | 对比 |
![]() | BAS116-7-F | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | 对比 |
![]() | BAP55LX,315 | NXP USA Inc. | 二极管 - 射频 | 2-XDFN | DIODE SILICON PIN SOD-882D | 对比 |





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