MA4P504-132备选型号: MURS160-13-F
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 应用
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 二极管类型
- 箱体转运
- 正向电流
- 电容@Vr, F
- 反向电压
- 反向电压(直流电)
- 频带
- 二极管电容-标称
- 电阻@If,F
- 少数载流子寿命
- 二极管正向电阻-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 安装类型
- 质量
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电容量
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电压
- 速度
- 电流
- 反向泄漏电流@ Vr
- 输出电流
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 相位的数量
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 自然的热阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RF DIODE PIN 500V DIE8 Weeks表面贴装Die2SILICON1175°C TJBulk2008yes活跃1 (Unlimited)1SWITCHINGLOW DISTORTION8541.10.00.40UPPER1S-CUUC-N1SinglePIN - SingleISOLATED100mA0.2pF @ 100V 1MHz500V500V超高频0.2pF600mOhm @ 100mA 100MHz1 µs0.6Ohm无ROHS3 Compliant无铅--------------------------------------
- DIODE GEN PURP 600V 1A SMB12 Weeks表面贴装DO-214AA, SMB2SILICON1-Tape & Reel (TR)2007no活跃1 (Unlimited)2EFFICIENCY-8541.10.00.80DUAL2-SingleStandard-1A10pF @ 4V 1MHz600V600V-----无ROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装92.986436mge3EAR99150°C-55°C10pF600VC 弯管2601A40MURS160600VFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)1A5μA @ 600V1A1.25V @ 1A-55°C~175°C35A1.25V600V1A150 ns5μA600V35A35A50 ns150°C15 °C/W2.5mm4.57mm3.94mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MB8S | ON Semiconductor | 二极管 - 桥式整流器 | TO-269AA, 4-BESOP | DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC | 对比 | |
![]() | MURS160-13-F | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 600V 1A SMB | 对比 |
![]() | DFLR1600-7 | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | POWERDI®123 | DIODE GEN 600V 1A POWERDI123 | 对比 |





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