MA4P606-131备选型号: S1MB-13-F
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 应用
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 二极管类型
- 箱体转运
- 正向电流
- 电容@Vr, F
- 反向电压
- 电压 - 峰值反向(最大值)
- 击穿电压-最小值
- 反向电压(直流电)
- 频带
- 二极管电容-标称
- 电阻@If,F
- 二极管电容-最大值
- 少数载流子寿命
- 二极管电阻测试电流
- 二极管正向电阻-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 安装类型
- 质量
- JESD-609代码
- 终端
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电容量
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 速度
- 反向泄漏电流@ Vr
- 输出电流
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- RF DIODE PIN 1000V DIE8 Weeks表面贴装Die2SILICON1175°C TJBulk2012yes活跃1 (Unlimited)1SWITCHINGLOW DISTORTION8541.10.00.40UPPER1S-CUUC-N1SinglePIN - SingleISOLATED1A0.6pF @ 100V 1MHz1kV1000V1000V1kV超高频0.6pF700mOhm @ 100mA 100MHz0.3pF3 µs100mA1Ohm无ROHS3 Compliant------------------------------------
- DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB10 Weeks表面贴装DO-214AA, SMB2SILICON1-Tape & Reel (TR)2012no活跃1 (Unlimited)2-HIGH RELIABILITY8541.10.00.80DUAL2-SingleStandard-1A10pF @ 4V 1MHz1kV--1kV-------无ROHS3 CompliantTin表面贴装92.986436mge3SMD/SMTEAR99150°C-65°C10pF1kVC 弯管2601A40S1MStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)5μA @ 1000V1A1.1V @ 1A-65°C~150°C30A1000V1.1V1kV1A3 μs5μA1kV30A30A1.8 μs150°C2.5mm4.57mm3.94mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RS1M-13-F | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | DO-214AC, SMA | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | 对比 |
![]() | S1MB-13-F | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | DO-214AA, SMB | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB | 对比 |
![]() | STTH112UFY | STMicroelectronics | 二极管 - 整流器 - 单 | DO-221AA, SMB Flat Leads | Fast / Ultrafast Power Diode, Single, 1.2 kV, 1 A, 1.9 V, 75 ns, 18 A | 对比 |






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