MADRCC0006备选型号: SST25VF016B-50-4I-S2AF
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 端子间距
- 功能
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 温度等级
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 接口IC类型
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- 电压 - 供电
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- 内存大小
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- 数据总线宽度
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- 地址总线宽度
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- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- DRIVER SMT ASIC10 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES8-40°CTube2005e3yes活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼2605V1.27mmDriver5.5VINDUSTRIAL4.5V电路接口-5V4.9mm1.75mm3.9mm无ROHS3 Compliant--------------------------------
- MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC816 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YES8Non-VolatileTube2010e4yes活跃3 (168 Hours)8-DUAL--3V1.27mm-3.6V-2.7V--5.4mm-5.4mm无ROHS3 CompliantGold-40°C~85°C TASST253A991.B.1.A2.7V~3.6V1SST25VF016B83.3VSPI, Serial16Mb 2M x 815mA50MHz8 nsFLASHSPI8b16MX110μs1b16 Mb0.00002ASynchronous8b2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE1.91mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8 | 对比 | |
![]() | 25LC1024-I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - 25LC1024-I/SM - EEPROM, AEC-Q100, 1 Mbit, 128K x 8bits, Série SPI, 20 MHz, SOIJ, 8 Broche(s) | 对比 |




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