MAPR-000912-500S00备选型号: DME800

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最大集电极电流
  • 增益
  • 最高频段
  • RoHS状态
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最高频率
  • 频率转换
  • 辐射硬化
  • M/A-Com Technology Solutions
    RF TRANS NPN 80V
    28 Weeks
    底座安装
    底座安装
    SILICON
    80V
    200°C TJ
    Tray
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    带发射极镇流电阻
    500W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    2
    R-CDFM-F2
    不合格
    SINGLE
    BASE
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    52.5A
    9.44dB ~ 9.77dB
    L B
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans RF BJT NPN 65V 50A 3-Pin Case 55ST-1
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    -
    65V
    200°C TJ
    Bulk
    2003
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5kW
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    50A
    9dB ~ 10dB
    -
    符合RoHS标准
    55ST-1
    3
    EAR99
    2500W
    65V
    20 @ 600mA 5V
    1.15GHz
    1.025GHz~1.15GHz
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
10502 10502 Microsemi Corporation 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 55SM TRANS BIPO 50V 500W 55SM 对比
TAN350 TAN350 Microsemi Corporation 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 55ST Trans GP BJT NPN 65V 40A 3-Pin Case 55ST-1 对比