Microsemi Corporation TAN350

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

55ST

引脚数

55

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

1

操作温度

230°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

1.45kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

2

JESD-30代码

R-CDFM-F2

配置

SINGLE

功率 - 最大

1450W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

40A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 1A 5V

增益

7dB ~ 7.5dB

最高频率

1.215GHz

频率转换

960MHz~1.215GHz

最高频段

L B

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准