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MBR12080CTR备选型号: MBR120100CT

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  • 端子位置
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  • 元素配置
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  • 二极管类型
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  • 箱体转运
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  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
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  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 二极管配置
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • GeneSiC Semiconductor
    MBR12080CTR
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A 80P56RV
    6 Weeks
    PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
    双塔
    底座安装
    底座安装
    SILICON
    2
    2010
    Bulk
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    175°C
    -40°C
    POWER
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-PUFM-X2
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    3mA @ 20V
    840mV @ 60A
    ANODE
    120A
    1μA
    800A
    60A
    120A DC
    80V
    120A
    1
    1A
    80V
    1 Pair Common Cathode
    符合RoHS标准
    -
    -
  • GeneSiC Semiconductor
    MBR120100CT
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70R
    6 Weeks
    PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
    双塔
    底座安装
    底座安装
    SILICON
    2
    2010
    Bulk
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    175°C
    -40°C
    POWER
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-PUFM-X2
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    3mA @ 20V
    840mV @ 60A
    CATHODE
    120A
    1μA
    800A
    60A
    120A DC
    100V
    120A
    1
    1A
    100V
    1 Pair Common Anode
    符合RoHS标准
    EAR99
    8541.10.00.80
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