MBRM1H100T3G备选型号: MBR1H100SFT3G

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
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  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大反向漏电电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 无卤素
  • 正向电压
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MBRM1H100T3G Series 100 V 1 A SMT Schottky Barrier Rectifier - Powermite
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    DO-216AA
    YES
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    1
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    鸥翼
    2
    R-PSSO-G1
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    20μA @ 100V
    760mV @ 1A
    CATHODE
    1A
    20μA
    -65°C~175°C
    50A
    1A
    无卤素
    840mV
    100V
    1A
    20μA
    100V
    50A
    50A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON Semi MBR1H100SFT3G; SMT Schottky Switching Diode; 100V 1A; 2-Pin SOD-123FL
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    SOD-123F
    YES
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    FLAT
    2
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    40μA @ 100V
    760mV @ 1A
    -
    1A
    -
    -65°C~175°C
    -
    1A
    无卤素
    840mV
    100V
    1A
    40μA
    100V
    50A
    50A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    自由旋转二极管
    DUAL
    MBR1H100
    900μm
    2.9mm
    1.8mm
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