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首页 全部分类 MBT35200MT1G vs PMD9050D,115

MBT35200MT1G备选型号: PMD9050D,115

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  • 晶体管类型
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  • 最大集极截止电流
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 应用
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 集电极-发射器电压-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • ON Semiconductor
    MBT35200MT1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6
    YES
    6
    SILICON
    35V
    -260mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -35V
    625mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -2A
    100MHz
    40
    MBT35200
    6
    Single
    1W
    625mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    PNP
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    100MHz
    35V
    55V
    5V
    1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMD9050D,115
    NXP USA Inc.
    IC MOSFET DRIVER 6TSOP
    -
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    -
    SILICON
    3
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    TIN
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    -
    40
    PMD9050
    6
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    NPN和PNP
    2 NPN, PNP
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    MOSFET驱动器
    R-PDSO-G6
    不合格
    COMPLEX
    0.1A
    24
    45V
    1058ns
    90ns
  • 添加型号
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