ON Semiconductor NSS35200MR6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

100

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-260mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

625mW

Number of Elements

1

已出版

2005

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-35V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-2A

频率

100MHz

基本部件号

NSS35200

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

625mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1.5A 1.5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

310mV @ 20mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

35V

集电极基极电压(VCBO)

55V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅