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首页 全部分类 MBT3906DW1T1G vs MUN5112DW1T1G

MBT3906DW1T1G备选型号: MUN5112DW1T1G

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  • 最大功率耗散
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 最大集极截止电流
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    MBT3906DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    40V
    -400mV
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -40V
    150mW
    鸥翼
    260
    -200mA
    250MHz
    40
    MBT3906D
    6
    PNP
    Dual
    150mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    250MHz
    2 PNP (Dual)
    40V
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    400mV @ 5mA, 50mA
    250MHz
    40V
    40V
    5V
    300ns
    70ns
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5112DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -50V
    250mW
    鸥翼
    260
    -100mA
    -
    40
    MUN51**DW1T
    6
    PNP
    Dual
    250mW
    SWITCHING
    无卤素
    -
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    250mV @ 300μA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    500nA
    22k Ω
    -100mA
    22k Ω
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