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首页 全部分类 MC100LVEL32DR2G vs CD40107BM

MC100LVEL32DR2G备选型号: CD40107BM

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  • 逻辑功能
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  • 特征
  • 高度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MC100LVEL32DR2G
    ON Semiconductor
    IC DIVIDER DIV X2 3.3V 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    100LVEL
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    3V~3.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    100LVEL32
    8
    +-3V
    3V
    Asynchronous
    无卤素
    Divide-by-2
    COMPLEMENTARY
    Positive, Negative
    0.6 ns
    36mA
    2400 MHz
    2600000000Hz
    2.6GHz
    1
    4.9mm
    3.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    CD40107BM
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.5V ~ 11V
    -55°C~125°C
    Tube
    4000B
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    3V~18V
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    5V
    -
    CD40107
    8
    -
    3V
    -
    -
    NAND门
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.9mm
    3.91mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    72.603129mg
    1
    2
    50pF
    136mA
    100 ns
    20μA
    200 ns
    Buffer, NAND
    100ns @ 15V, 50pF
    4μA
    无
    开漏极态
    1.75mm
    1.58mm
    无SVHC
  • 添加型号
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