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首页 全部分类 MC100LVEL33DR2G vs MC100EP08DG

MC100LVEL33DR2G备选型号: MC100EP08DG

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  • 输出类型
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  • 输出电流
  • 逻辑功能
  • 输入数量
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  • 低水平输出电流
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  • 高度
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  • ON Semiconductor
    MC100LVEL33DR2G
    ON Semiconductor
    IC DIVIDER DIV X4 DIFF 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    100LVEL
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    3V~3.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    100LVEL33
    8
    2
    +-3.3V
    3V
    900 ps
    900 ps
    Asynchronous
    OPEN-EMITTER
    无卤素
    Divide-by-4
    COMPLEMENTARY
    Positive, Negative
    39mA
    4GHz
    1
    4.9mm
    3.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC100EP08DG
    ON Semiconductor
    IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~85°C
    Tube
    100EP
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    100EP08
    8
    2
    -4.5V
    3V
    300 ps
    320 ps
    -
    -
    无卤素
    XOR/XNOR Gate
    -
    -
    40mA
    -
    -
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    Tin (Sn)
    NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V
    RAIL
    Differential
    50mA
    5.5V
    50mA
    XNOR, XOR
    2 Input (1, 1)
    -50mA
    50mA
    无
    1.4986mm
    无SVHC
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