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首页 全部分类 MC100LVEL33DR2G vs MC10EP01D

MC100LVEL33DR2G备选型号: MC10EP01D

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  • 包装方式
  • 输出类型
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  • 逻辑功能
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  • 阀门数量
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  • 低水平输出电流
  • 施密特触发器输入
  • ON Semiconductor
    MC100LVEL33DR2G
    ON Semiconductor
    IC DIVIDER DIV X4 DIFF 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    100LVEL
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    3V~3.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    100LVEL33
    8
    2
    +-3.3V
    3V
    900 ps
    900 ps
    Asynchronous
    OPEN-EMITTER
    无卤素
    Divide-by-4
    COMPLEMENTARY
    Positive, Negative
    39mA
    4GHz
    1
    4.9mm
    3.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC10EP01D
    ON Semiconductor
    IC GATE OR/NOR 4INPUT ECL 8SOIC
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -40°C~85°C
    Tube
    10EP
    2008
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    240
    1
    3.3V
    30
    10EP01
    8
    2
    -
    3V
    330 ps
    350 ps
    -
    -
    -
    NOR/OR Gate
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.9mm
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V
    RAIL
    Differential
    5.5V
    24mA
    10E
    NOR, OR
    4
    1
    0.35 ns
    -50mA
    50mA
    无
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