MC10EL33DR2G备选型号: CD40107BM
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 重置
- 输出特性
- 无卤素
- 逻辑类型
- 输出极性
- 触发器类型
- 电源电流-最大值(ICC)
- 计数率
- 数据/时钟输入数量
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 输出的数量
- 通道数量
- 负载电容
- 输出电流
- 传播延迟
- 静态电流
- 接通延迟时间
- 逻辑功能
- 最大传播延迟@V,最大CL
- 最大静态电流
- 施密特触发器输入
- 特征
- 高度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- IC DIVIDER X4 ECL DIFF 8-SOIC5 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)81-40°C~85°CTape & Reel (TR)10EL2006e3yesObsolete1 (Unlimited)8Tin (Sn)NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -4.2V TO -5.7V4.2V~5.7VDUAL鸥翼26015V4010EL338不合格5.7V-5.2V4.2VAsynchronousOPEN-EMITTER无卤素Divide-by-4COMPLEMENTARYPositive, Negative33mA4.2GHz14.9mm3.9mm符合RoHS标准无铅------------------
- TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-86 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83.5V ~ 11V-55°C~125°CTube4000B-e4yes活跃1 (Unlimited)8--3V~18VDUAL鸥翼26025V-CD401078---3V---NAND门-----4.9mm3.91mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Gold72.603129mg1250pF136mA100 ns20μA200 nsBuffer, NAND100ns @ 15V, 50pF4μA无开漏极态1.75mm1.58mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD40107BM | Texas Instruments | 逻辑 - 逻辑门和逆变器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-8 | 对比 |
| MC10EL16DG | ON Semiconductor | 逻辑 - 专用逻辑 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR MC10EL16DG IC, SM, LOGIC, ECL, TRANSLATOR | 对比 | |
| MC100LVELT22DG | ON Semiconductor | 逻辑器件 - 转换器,电平移位器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - MC100LVELT22DG - TRANSLATOR DUAL LVTTL- LVPECL, SMD | 对比 |



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