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首页 全部分类 MC10EP05DG vs MC100LVEL05DG

MC10EP05DG备选型号: MC100LVEL05DG

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  • 无卤素
  • 逻辑类型
  • 阀门数量
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  • 低水平输出电流
  • 施密特触发器输入
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工作电源电压
  • 电源
  • 输出特性
  • Prop. Delay@Nom-Sup
  • 高度
  • ON Semiconductor
    MC10EP05DG
    ON Semiconductor
    IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tube
    10EP
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V
    RAIL
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    10EP05
    8
    2
    Differential
    5.5V
    3V
    50mA
    270 ps
    320 ps
    10E
    AND, NAND
    2 Input (1, 1)
    无卤素
    AND/NAND Gate
    1
    -50mA
    50mA
    无
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC100LVEL05DG
    ON Semiconductor
    IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tube
    100LVEL
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    -
    RAIL
    3V~3.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    100LVEL05
    8
    2
    Differential
    -
    3V
    50A
    440 ps
    340 ps
    -
    AND, NAND
    2 Input (1, 1)
    无卤素
    AND/NAND Gate
    1
    -50mA
    50mA
    无
    5mm
    4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.3V
    -4.5V
    OPEN-EMITTER
    0.45 ns
    1.24mm
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