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首页 全部分类 MC10EP05DR2 vs MC100LVEL05DR2G

MC10EP05DR2备选型号: MC100LVEL05DR2G

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  • 生命周期状态
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  • 电源
  • 输出特性
  • 无卤素
  • Prop. Delay@Nom-Sup
  • ON Semiconductor
    MC10EP05DR2
    ON Semiconductor
    IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    10EP
    2008
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V
    TAPE AND REEL
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    240
    1
    3.3V
    30
    10EP05
    8
    2
    Differential
    5.5V
    3V
    270 ps
    24mA
    320 ps
    10E
    AND, NAND
    2 Input (1, 1)
    AND/NAND Gate
    1
    -50mA
    50mA
    无
    4.9mm
    3.9mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC100LVEL05DR2G
    ON Semiconductor
    IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    100LVEL
    2000
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    -
    TAPE AND REEL
    3V~3.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    100LVEL05
    8
    2
    Differential
    -
    3V
    440 ps
    18mA
    450 ps
    -
    AND, NAND
    2 Input (1, 1)
    AND/NAND Gate
    1
    -50mA
    50mA
    无
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    yes
    -4.5V
    OPEN-EMITTER
    无卤素
    0.45 ns
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MC100LVEL05DR2G MC100LVEL05DR2G ON Semiconductor 逻辑 - 逻辑门和逆变器 - 多功能，可配置 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC 对比