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首页 全部分类 MC10EP08DR2G vs CD40107BM

MC10EP08DR2G备选型号: CD40107BM

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  • 无卤素
  • 逻辑类型
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  • 低水平输出电流
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 通道数量
  • 负载电容
  • 输出电流
  • 接通延迟时间
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  • 特征
  • 高度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MC10EP08DR2G
    ON Semiconductor
    IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    10EP
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V
    TAPE AND REEL
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    10EP08
    8
    2
    Differential
    5.5V
    3V
    300 ps
    30mA
    10E
    XNOR, XOR
    2 Input (1, 1)
    无卤素
    XOR/XNOR Gate
    1
    0.3 ns
    -50mA
    50mA
    无
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    CD40107BM
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -55°C~125°C
    Tube
    4000B
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    3V~18V
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    5V
    -
    CD40107
    8
    1
    -
    -
    3V
    100 ns
    20μA
    -
    Buffer, NAND
    -
    -
    NAND门
    -
    -
    -
    -
    无
    4.9mm
    3.91mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    72.603129mg
    3.5V ~ 11V
    2
    50pF
    136mA
    200 ns
    100ns @ 15V, 50pF
    4μA
    开漏极态
    1.75mm
    1.58mm
    无SVHC
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