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MC10EP08DR2G备选型号: MC10EP05DR2

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  • 无卤素
  • 逻辑类型
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  • 低水平输出电流
  • 施密特触发器输入
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 接通延迟时间
  • ON Semiconductor
    MC10EP08DR2G
    ON Semiconductor
    IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    10EP
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    NECL MODE: 0V VCC WITH VEE = -3.0V TO -5.5V
    TAPE AND REEL
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    10EP08
    8
    2
    Differential
    5.5V
    3V
    300 ps
    30mA
    10E
    XNOR, XOR
    2 Input (1, 1)
    无卤素
    XOR/XNOR Gate
    1
    0.3 ns
    -50mA
    50mA
    无
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MC10EP05DR2
    ON Semiconductor
    IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    10EP
    2008
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V
    TAPE AND REEL
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    240
    1
    3.3V
    30
    10EP05
    8
    2
    Differential
    5.5V
    3V
    270 ps
    24mA
    10E
    AND, NAND
    2 Input (1, 1)
    -
    AND/NAND Gate
    1
    -
    -50mA
    50mA
    无
    4.9mm
    3.9mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    320 ps
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