MC10EP11DR2G备选型号: MC100EP11DR2G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 类型
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输出量
- 引脚数量
- 输出的数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 电路数量
- 传播延迟
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 输入
- 比率-输入:输出
- 差分 - 输入:输出
- Prop. Delay@Nom-Sup
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 频率
- 电源电流
- 最大工作周期
- 达到SVHC
- Clock Fanout Buffer 2-OUT 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83GHz-40°C~85°CTape & Reel (TR)10EP2000e3yes活跃1 (Unlimited)8Fanout Buffer (Distribution)NECL MODE: VCC=0 WITH VEE = -3.0V TO -5.5V3V~5.5VDUAL鸥翼26013.3V40MC10EP11ECL, PECL845.5V-3.0/-5.5/3.3V3V1270 ps300 ps无卤素ECL, PECL1:2Yes/Yes0.32 ns3.9mm无ROHS3 Compliant无铅----
- ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G IC, BUFFER, ECL 1:2ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)11 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--40°C~85°CTape & Reel (TR)100EP2000e3yes活跃1 (Unlimited)8Fanout Buffer (Distribution)NECL MODE: VCC=0 WITH VEE = -3.0V TO -5.5V3V~5.5VDUAL鸥翼26013.3V40MC100EP11ECL, PECL845.5V-3.0/-5.5V3V1270 ps300 ps无卤素ECL, PECL1:2Yes/Yes0.32 ns3.9mm无ROHS3 Compliant无铅3GHz35mA50 %无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SY100EP11UZG | Microchip Technology | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Clock Fanout Buffer 2-OUT 8-Pin SOIC | 对比 |
![]() | SY100EP11UZG-TR | Microchip Technology | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Clock Fanout Buffer 2-OUT 8-Pin SOIC T/R | 对比 |
| MC100EP11DR2G | ON Semiconductor | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G IC, BUFFER, ECL 1:2 | 对比 |



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