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首页 全部分类 MC10EP33DR2G vs MC100LVELT22DG

MC10EP33DR2G备选型号: MC100LVELT22DG

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  • 输出信号
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  • 输入信号
  • 延迟-最大
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MC10EP33DR2G
    ON Semiconductor
    IC DIVIDER 1:4 ECL CLK IN 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    10EP
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Tin (Sn)
    NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    10EP33
    8
    不合格
    5.5V
    -5.2V
    3V
    Asynchronous
    10E
    无卤素
    Divide-by-4
    COMPLEMENTARY
    Positive, Negative
    0.44 ns
    34mA
    4000000000Hz
    4GHz
    1
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC100LVELT22DG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - MC100LVELT22DG - TRANSLATOR DUAL LVTTL- LVPECL, SMD
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -40°C~85°C TA
    Tube
    100LVELT
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    3.3V
    40
    100LVELT22
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无卤素
    -
    COMPLEMENTARY
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    EAR99
    Differential
    3.3V
    2
    1
    3.8V
    3V
    50mA
    1
    600 ps
    600 ps
    Translator
    OPEN-EMITTER
    500ps
    -50mA
    单向
    50mA
    LVPECL
    混合信号
    LVCMOS, LVTTL
    0.6 ns
    1.5mm
    无SVHC
    无
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