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首页 全部分类 MC10EP57DT vs NLAS4051DTR2G

MC10EP57DT备选型号: NLAS4051DTR2G

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  • 输入行数
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  • 独立电路
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  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
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  • 表面安装
  • 电阻
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  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 模拟 IC - 其他类型
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  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入数量
  • 电压 - 电源，单/双路（±）
  • 无卤素
  • 带宽
  • 负电源电压(Vsup)
  • 最大双电源电压
  • -3db 带宽
  • 通态电阻（最大值）
  • 最小双电源电压
  • 双电源电压
  • 多路复用器/解复用器电路
  • 断态隔离-标称
  • 最大漏电流（IS（off））
  • 通道电容（CS和CD：开关在断开时的源极和漏极电容）
  • 通态电阻匹配标称
  • 开关时间（Ton, Toff）（最大）
  • 电荷注入
  • 通道间匹配度 (ΔRon)
  • 开关量
  • 信号电流-最大值
  • ON Semiconductor
    MC10EP57DT
    ON Semiconductor
    IC MUX 4:1 ECL DIFF 20TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    20-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    20
    -40°C~85°C
    Tube
    10EP
    2006
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20
    差分数字多路复用器
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3.0V TO -5.5V;
    RAIL
    ±3V~5.5V
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    0.65mm
    40
    10EP57
    20
    1
    1 x 4:1
    Non-Inverting
    5.5V
    -5.2V
    3V
    DPST
    475 ps
    52mA
    10E
    Multiplexer
    Dual
    0.52 ns
    -50mA
    50mA
    65mA
    4
    双电源
    1
    6.5mm
    无
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NLAS4051DTR2G
    ON Semiconductor
    IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
    -
    表面贴装
    16-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    16
    -55°C~125°C TA
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    -
    -
    ALSO OPERATE WITH 2.5 TO 5.5V SINGLE SUPPLY
    -
    -
    鸥翼
    260
    1
    3V
    0.65mm
    40
    NLAS4051
    16
    -
    -
    -
    -
    -33/5V
    -
    SP8T
    40 ns
    -
    -
    Demultiplexer, Multiplexer
    Dual, Single
    -
    50mA
    50mA
    -
    -
    -
    -
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Gold
    YES
    40 ns
    33Ohm
    450mW
    8
    1
    5.5V
    2.5V
    SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
    40μA
    4μA
    450mW
    40 ns
    8
    2.5V~5V ±3V
    无卤素
    80MHz
    -3V
    3.3V
    95MHz
    26Ohm
    1.25V
    3V
    8:1
    93 dB
    100nA
    10pF 10pF
    15Ohm
    23ns, 23ns
    12pC
    10 Ω
    BREAK-BEFORE-MAKE
    0.05A
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