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MC10LVEP11DR2备选型号: MC100EP11DR2G

MC10LVEP11DR2

ON Semiconductor

IC CLK BUFFER 1:2 3GHZ 8SOIC

表面贴装
表面贴装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
3GHz
-40°C~85°C
Tape & Reel (TR)
2006
e0
Obsolete
3 (168 Hours)
8
Fanout Buffer (Distribution)
Tin/Lead (Sn/Pb)
2.375V~3.8V
DUAL
鸥翼
240
1
2.5V
not_compliant
30
MC10LVEP11
ECL, PECL
8
4
不合格
2.375V
1
310 ps
360 ps
CML, LVDS, PECL
1:2
Yes/Yes
0.36 ns
0.02 ns
3.9mm
Non-RoHS Compliant
含铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MC100EP11DR2G

ON Semiconductor

ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G IC, BUFFER, ECL 1:2

表面贴装
表面贴装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
-40°C~85°C
Tape & Reel (TR)
2000
e3
活跃
1 (Unlimited)
8
Fanout Buffer (Distribution)
-
3V~5.5V
DUAL
鸥翼
260
1
3.3V
-
40
MC100EP11
ECL, PECL
8
4
-
3V
1
270 ps
300 ps
ECL, PECL
1:2
Yes/Yes
0.32 ns
-
3.9mm
ROHS3 Compliant
无铅
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
11 Weeks
Tin
100EP
yes
NECL MODE: VCC=0 WITH VEE = -3.0V TO -5.5V
3GHz
5.5V
-3.0/-5.5V
35mA
无卤素
50 %
无SVHC
无
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