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首页 全部分类 MC33153DG vs TC1412NEOA

MC33153DG备选型号: TC1412NEOA

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 输入类型
  • 无卤素
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 接通时间
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • ON Semiconductor
    MC33153DG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MC33153DG IC, IGBT DRIVER, SMD, 33153, SOIC8
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    11V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    40
    MC33153
    8
    1
    13.9V
    2A
    20mA
    Inverting
    无卤素
    17ns 17ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Single
    0.3 µs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    1A 2A
    0.3 µs
    OVER CURRENT; OVER VOLTAGE
    SINK
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC1412NEOA
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    4.5V~16V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    -
    40
    TC1412N
    8
    -
    -
    2A
    1mA
    Non-Inverting
    -
    18ns 18ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.05 μs
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    2A 2A
    0.05 μs
    -
    -
    1.42mm
    4.9mm
    3.91mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    470mW
    470mW
    45 ns
    45 ns
    26ns
    26 ns
    1
    2A
    YES
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