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首页 全部分类 MCH3374-TL-W vs NTHD2102PT1

MCH3374-TL-W备选型号: NTHD2102PT1

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    MCH3374-TL-W
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MCH3374-TL-W MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -12 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -1.4 V
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    70
    3A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8.8 ns
    P-Channel
    70m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.4V @ 1mA
    405pF @ 6V
    5.6nC @ 4.5V
    80ns
    12V
    ±8V
    50 ns
    3A
    -1.4V
    8V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD2102PT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    2 P-Channel (Dual)
    58m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    715pF @ 6.4V
    16nC @ 2.5V
    20ns
    -
    -
    20 ns
    3.4A
    -
    8V
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
    SILICON
    e0
    8
    -8V
    1.1W
    C 弯管
    240
    not_compliant
    -3.4A
    30
    NTHD2102P
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.1W
    SWITCHING
    -8V
    4.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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