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MCH3475-TL-W备选型号: MCH6663-TL-W
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH36 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead31.8A Ta150°C TJTape & Reel (TR)e6yesObsolete1 (Unlimited)Tin/Bismuth (Sn/Bi)3.4 nsN-Channel180m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10V3.6ns30V±20V4 ns1.8A20V符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH67 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads-1.8A 1.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e6yes活跃1 (Unlimited)Tin/Bismuth (Sn/Bi)-N and P-Channel188m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10V-30V--1.5A-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)SILICON20126800mWDUALR-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.8A0.188Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4V Drive- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6344-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | ON SEMICONDUCTOR MCH6344-TL-W MOSFET Transistor, P Channel, -2 A, -30 V, 0.115 ohm, -10 V, -2.6 V | 对比 |
| MCH6663-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | 对比 |
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