MCH6321-TL-W备选型号: NTHS5443T1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin MCPH T/R
    LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    7.512624mg
    SILICON
    4A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1.5W
    8.1 ns
    P-Channel
    83m Ω @ 2A, 4.5V
    375pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    31ns
    20V
    ±10V
    39 ns
    4A
    10V
    4A
    0.083Ohm
    -20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    -
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.3W
    8.5 ns
    P-Channel
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    -
    12nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±12V
    14 ns
    4.9A
    12V
    -
    0.065Ohm
    -20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    逻辑电平兼容
    -20V
    C 弯管
    260
    -3.6A
    40
    8
    Single
    SWITCHING
    600mV @ 250μA
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
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