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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.948735
10
¥0.895037
100
¥0.844371
500
¥0.796574
1000
¥0.751489
ON Semiconductor MCH6321-TL-W
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- 对比
MCH6321-TL-W
1807-MCH6321-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
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Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin MCPH T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MCH6321-TL-W详情
ON Semiconductor MCH6321-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
质量
7.512624mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
DUAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
8.1 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
83m Ω @ 2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
375pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V
上升时间
31ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
39 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.083Ohm
漏源击穿电压
-20V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MCH6321-TL-W拓展信息
ON Semiconductor
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