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首页 全部分类 MCH6353-TL-W vs DMC1017UPD-13

MCH6353-TL-W备选型号: DMC1017UPD-13

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 操作温度
  • 包装
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    MCH6353-TL-W
    ON Semiconductor
    Single P-Channel Power MOSFET -12V, -6.0A, 35 mO
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    7.512624mg
    6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    1
    Single
    1.4W
    8.4 ns
    P-Channel
    35m Ω @ 3A, 4.5V
    无卤素
    1250pF @ 6V
    12nC @ 4.5V
    48ns
    12V
    ±10V
    68 ns
    6A
    10V
    -12V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC1017UPD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary
    -
    -
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    95.991485mg
    13A Ta 9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    2
    -
    -
    -
    N and P-Channel Complementary
    17m Ω @ 11.8A, 4.5V, 32m Ω @ 8.9A, 4.5V
    -
    1787pF @ 6V 2100pF @ 6V
    18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
    -
    12V
    -
    -
    6.9A
    8V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.3W
    未说明
    未说明
    1.5V @ 250μA
    Standard
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