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首页 全部分类 MCH6448-TL-H vs PMPB12UN,115

MCH6448-TL-H备选型号: PMPB12UN,115

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    MCH6448-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 1.2V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    6
    Single
    1.5W
    6 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 4A, 4.5V
    无卤素
    705pF @ 10V
    11.2nC @ 4.5V
    47ns
    ±9V
    81 ns
    8A
    9V
    20V
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMPB12UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
    -
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    7.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    TIN
    6
    -
    -
    -
    N-Channel
    18m Ω @ 7.9A, 4.5V
    -
    886pF @ 10V
    13nC @ 4.5V
    -
    ±8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    6
    DUAL
    无铅
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    1V @ 250μA
    20V
    7.9A
    0.018Ohm
    31A
    20V
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