MCH6662-TL-W备选型号: NTHD4401PT1
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH66 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6-SMD, Flat Leads表面贴装表面贴装614.5 ns2007Tape & Reel (TR)150°C TJe6yes活跃1 (Unlimited)Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW未说明未说明5.1 ns2 N-Channel (Dual)160m Ω @ 1A, 4.5V1.3V @ 1mA128pF @ 10V1.8nC @ 4.5V11ns20V12 ns2A10VLogic Level Gate, 1.8V DriveROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET--8-SMD, Flat Lead表面贴装表面贴装822005Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe0-Obsolete1 (Unlimited)Tin/Lead (Sn/Pb)1.1W24030-2 P-Channel (Dual)155m Ω @ 2.1A, 4.5V1.2V @ 250μA300pF @ 10V6nC @ 4.5V13ns20V13 ns2.1A12V逻辑电平门Non-RoHS Compliant含铅SILICON8EAR99-20VC 弯管not_compliant-2.1ANTHD4401P8不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.1WSWITCHING0.155Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR50 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6660-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 | 对比 | |
| MCH3476-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 |



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