MCH6663-TL-W备选型号: MCH3375-TL-W
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)7 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat LeadsSILICON1.8A 1.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)6Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mWDUALR-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-Channel188m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10V30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.5A1.8A0.188Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4V DriveROHS3 Compliant无铅--
- MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)5 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat LeadSILICON1.6A Ta150°C TJTape & Reel (TR)-e6yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Bismuth (Sn/Bi)-DUALR-PDSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-Channel295m Ω @ 800mA, 10V2.6V @ 1mA82pF @ 10V2.2nC @ 10V30V-1.6A-0.295Ohm30V--ROHS3 Compliant无铅SWITCHING±20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH3475-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 | 对比 | |
| MCH3375-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3 | 对比 |


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