MCP14E10T-E/MF备选型号: MCP14E10-E/MF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 表面安装
- 包装/外壳
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 最大输出电流
- 电源
- 电源电流
- 输出电流
- 最大电源电流
- 输入类型
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 长度
- 宽度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 高度
- 达到SVHC
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN8 Weeks表面贴装YES8-VDFN Exposed PadLow-Side2011Tape & Reel (TR)-40°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn) - annealed4.5V~18VDUAL无铅260112V40MCP14E108R-PDSO-N8不合格3A4.5/18V1.8mA3A1.8mANon-Inverting14ns17 ns25ns 25ns基于半桥的mosfet驱动器Independent20.04 μs3AIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET3A 3AYES0.04 μs6mm5mm1mmROHS3 Compliant无铅---
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN8 Weeks表面贴装YES8-VDFN Exposed PadLow-Side2011Tube-40°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn) - annealed4.5V~18VDUAL无铅260112V40MCP14E108-不合格3A-1.8mA3A1.8mANon-Inverting14ns17 ns25ns 25ns基于半桥的mosfet驱动器Independent20.04 μs3AIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET3A 3AYES0.04 μs4.92mm5.99mm-ROHS3 Compliant无铅8950μm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCP14E10-E/MF | Microchip Technology | PMIC - 栅极驱动器 | 8-VDFN Exposed Pad | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN | 对比 |
![]() | MCP14E11-E/MF | Microchip Technology | PMIC - 栅极驱动器 | 8-VDFN Exposed Pad | MICROCHIP - MCP14E11-E/MF - MOSFET DRIVER, DFN-8 | 对比 |



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