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首页 全部分类 MCP14E11-E/P vs MIC4423YN

MCP14E11-E/P备选型号: MIC4423YN

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  • 输入电流
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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
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  • 关断时间
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 端子位置
  • Microchip Technology
    MCP14E11-E/P
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
    7 Weeks
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    NO
    8
    0.8V 2.4V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    1.12W
    4.5V~18V
    1
    12V
    MCP14E11
    8
    2
    18V
    3A
    Dual
    1.8mA
    1.12W
    3A
    1.8mA
    65 ns
    Inverting, Non-Inverting
    65 ns
    30ns
    30 ns
    25ns 25ns
    基于半桥的mosfet驱动器
    Independent
    10μA
    0.04 μs
    1μA
    3A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    YES
    0.04 μs
    10.16mm
    4.95mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4423YN
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 8DIP
    8 Weeks
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    960mW
    4.5V~18V
    2
    -
    MIC4423
    -
    2
    25mV
    3A
    -
    2mA
    -
    3A
    -
    75 ns
    Inverting
    33 ns
    35ns
    35 ns
    28ns 32ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    -
    0.1 μs
    -
    3A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    NO
    0.1 μs
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    DUAL
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