MCP14E4-E/P备选型号: MCP14E3-E/P

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  • 工厂交货时间
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  • 包装/外壳
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 输入偏置电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DIP
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.1W
    4.5V~18V
    DUAL
    1
    12V
    MCP14E4
    8
    2
    17.975V
    4A
    750μA
    1.1W
    4A
    2mA
    60 ns
    Non-Inverting
    60 ns
    15ns
    18 ns
    15ns 18ns
    PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
    Independent
    10μA
    0.07 μs
    4A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    4A 4A
    NO
    0.07 μs
    3.3mm
    9.27mm
    6.35mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Microchip Technology
    MICROCHIP MCP14E3-E/P Dual MOSFET Driver, Low Side, 4.5V-18V Supply, 4A Out, 50ns Delay, DIP-8
    1 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.1W
    4.5V~18V
    DUAL
    1
    12V
    MCP14E3
    8
    2
    17.975V
    4A
    750μA
    1.1W
    4A
    2mA
    60 ns
    Inverting
    60 ns
    30ns
    30 ns
    15ns 18ns
    PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
    Independent
    -
    0.07 μs
    4A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    4A 4A
    NO
    0.07 μs
    3.3mm
    9.27mm
    6.35mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
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