MD56V62160M-7TAZ0AX备选型号: IS42S16100H-7TLI
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- 端子间距
- JESD-30代码
- 资历状况
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- 电源
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- 端口的数量
- 操作模式
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
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- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)Volatile0°C~70°C TATray2011活跃1 (Unlimited)3V~3.6V64Mb 4M x 16143MHz5.4nsDRAMParallel7nsROHS3 Compliant----------------------------
- IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II表面贴装50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)3V~3.6V16Mb 1M x 16143MHz5.5nsDRAMParallel-ROHS3 Compliant6 WeeksYES50EAR99PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESHDUAL13.3V0.8mmR-PDSO-G50不合格3.6V3.3V3V1SYNCHRONOUS1MX163-STATE160.0035A16777216 bitCOMMON20481248FP124820.95mm1.2mm10.16mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16100H-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II | 对比 | |
| IS42S16400J-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP | 对比 |



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