MDI300-12A4备选型号: FF200R12KS4HOSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
  • 最大击穿电压
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • IXYS
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 330A 7-Pin Y3-DCB
    32 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    Y3-DCB
    7
    SILICON
    1
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    UL 认证
    1.2kV
    1.38kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    330A
    MDI
    7
    R-XUFM-X5
    Single
    ISOLATED
    1380W
    电源控制
    60ns
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    330A
    13mA
    1200V
    13nF
    1.2kV
    160 ns
    2.7V @ 15V, 200A
    690 ns
    NPT
    20V
    13nF @ 25V
    110mm
    30mm
    62mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
    20 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C
    -
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    FAST
    -
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    -
    2 Independent
    ISOLATED
    1400W
    -
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    275A
    5mA
    1200V
    -
    -
    180 ns
    3.7V @ 15V, 200A
    590 ns
    -
    -
    13nF @ 25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    3.2V
    EAR99
    Dual
    1.4kW
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FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module 对比